SOFFITTO-VOLG.RU

SK Hynix планирует объявлять свежие микросхемы многоуровневой (multi-level cell, MLC) энергонезависимой NAND флеш-памяти, которые повысят мощность твердотельных накопителей (solid-state drive, SSD). Свежие устройства также гарантируют похвастать отличной надёжностью, чем иные чипсеты MLC NAND.

3-й во всем мире продавец флеш-памяти готовится выпустить первые в промышленности многоуровневые NAND-микросхемы с габаритами блоков в 6 Мбайт. Повышенные объемы блоков могут помочь изготовителям SSD увеличить мощность накопителей на основе подобных чипов в дополнениях, требующих высокой скорости невольной записи. Семейство механизмов будет содержать микросхемы ёмкостью 64, 128, 256 и 512 Гбит с toggle DDR 2.0 внешним видом (скорость передачи данных — до 400 Mbit/с на чипсет). Свежие NAND флеш-приборы будут изготовляться с применением 16-нм технического процесса.

NAND флеш-память SK Hynix

Флеш-память вида NAND сберегает информацию в массиве транзисторов с плавучим затвором (ячеях памяти, memory cell), где бит значения устанавливается присутствием электрического заряда в отдельной области («кармане») полупроводниковой конструкции. Массивы ячей соединены в линии разрядов (bit line) и линии чисел (ворд line). Ячеи, располагающиеся на одной линии разрядов, формируют страничку, что считается минимальным участком NAND флеш-памяти, который вполне может быть записан. Большое количество страничек создают блок (erase block), считающийся минимальной зоной NAND, которая вполне может быть стёрта.

Архитектура NAND: линии разрядов и линии чисел

Как нам известно, любой курс перезаписи/стирания (т. е. изменение заряда в «кармане») ведёт к сносу ячей NAND флеш-памяти. Но так как архитектура NAND подразумевает общее применение одной разрядной линии (bit line) некоторыми транзисторами, чтобы уничтожить одну ячейку, требуется уничтожить весь блок, в котором она располагается. И более того, как только выражается 1 брак в блоке, контроллер SSD выключает весь блок (помышляя, что спортивными зарядами испорчена не только лишь одна ячея, но также и примыкающие с ней транзисторы). Чтобы уменьшать число циклов перезаписи/стирания и максимизировать жизненный цикл твердотельного накопителя, есть особые методики регулирования блоками, которые уничтожают потребность не нужных операций стирания.

Архитектура NAND: страничка и блок

Теоретически, чем меньше объем блока, особенно «вынослива» NAND флеш-память (так, сегодняшняя одноуровневая [single-level cell, SLC] флеш-память имеет объемы блоков в 128 Кб). Но на деле ёмкость микросхем памяти растёт и использовать блоки низкого объема является сложнее, из-за этого передовые MLC NAND стрит устройства применяют блоки объёбог 2–4 Мбайт. Вычеркивание огромного числа блоков занимает время, что понижает мощность SSD, поэтому повышения ёмкости блоков с формированием энергонезависимой памяти — необходимость. Так как вычеркивание компании из 6-Мбайт блоков занимает меньше времени, чем вычеркивание большего числа 4-Мбайт блоков, повышение ёмкости блоков увеличит скорость невольной записи. Такие процедуры довольно часто выполняются серверами и рабочими установками.

Но огромные блоки NAND флеш-памяти также обозначают, что изготовители SSD должны применять современные контроллеры, которые «понимают», как лучше работать с как раз с такими блоками и сводить к максимум число циклов перезаписи/стирания. В целом, сам факт того, что организация SK Hynix осмелилась на выпуск платных микросхем MLC NAND с габаритом блоков 6 Мбайт, обозначает, что организация убеждена как в передовых контроллерах твердотельных накопителей, так и в повышенной надёжности собственных 16-нм чипов флеш-памяти.

Сейчас неизвестно, рассчитывает ли SK Hynix реализовывать свежие микросхемы NAND флеш-памяти как устройства коллективного класса eMLC (что было бы разумно, принимая во внимание главное превосходство этих микросхем памяти), либо как стандартные чипсеты MLC. Так или иначе, свежие чипсеты памяти будут неповторимы. Тем не менее, повышение объемов блока NAND флеш-памяти —вопрос развития. Через определенное время такие чипсеты, вероятнее всего, будут предлагаться не менее обширно и от различных изготовителей.