Март 4th, 2022 
raven000 Энергонезависимая флеш-память вида NAND с трёхуровневыми ячеями (triple-level cell, TLC) ощутимо проигрывает не менее классической памяти с двухуровневыми ячеями (multi-level cell, MLC) в том, что же касается надежности и мощности. Но такая память также ощутимо выгоднее в изготовлении, что оказывает влияние на её известность среди изготовителей. По разбору DRAMeXchange, к концу года часть TLC в поставках всей NAND флеш-памяти составит приблизительно половину.
«В прошлом TLC NAND флеш-память обширно применялась в картах памяти, USB-накопителях и различных прочих внутренних приборах из-за сравнительно малой стоимости, однако времена поменялись», — заявил Шон Янг (Sean Yang), один из вице-президентов DRAMeXchange и глава подразделения по изучению рынка NAND флеш-памяти. ««Самсунг» активно продвигала TLC на рынки eMMC/eCMP и SSD, начиная с 2013 г. Собственным повышением занимаемой части рынка в 2014 году «Самсунг» принудила соперников также проектировать аналогичную продукцию на основе TLC NAND».
300-мм подложка с микросхемами TLC NAND изготовления Intel Micron Flash Технолоджис
Сегодняшняя MLC NAND флеш-память может вынести около 3000 циклов перезаписи/стирания, в то время как для TLC NAND это значение составляет только 1000 циклов. Впрочем этого довольно для таких дополнений, как карты памяти, чтобы возвести на самом деле качественный твердотельный накопитель на основе TLC, изготовителям требуется применять свежие контроллеры для накопителей, особые прошивки и т.д. Из-за невысокой стоимости TLC NAND (на 15–25 % ниже, чем MLC), очень многие компании инвестировали значительные суммы в формирование современных контроллеров для накопителей на базе TLC.
Как раз благодаря формированию контроллеров, применение TLC NAND в телефонах, планшетах и прочих приборах непреклонно растёт вот несколько кварталов подряд. Например, определенные модификации Эпл Айфон 6 применяют энергонезависимую флеш-память вида NAND с трёхуровневыми ячеями.
По словам специалистов DRAMeXchange, прогресс контроллеров SSD в общем принял решение прошлые неприятности с TLC, такие как надежность и мощность. Это сделало вероятным формировать глобальные твердотельные накопителе на базе такой флеш-памяти для индивидуальных ПК. Так, «Самсунг» предлагает SSD на базе флеш-памяти вида NAND с трёхуровневыми ячеями вот около года, а целый ряд заказчиков компании продемонстрировал подобные решения в заключительные месяцы.
Части различных видов NAND флеш-памяти в поставках, по DRAMeXchange
В связи с повышением применения TLC NAND в мобильных приборах, бытовой технике и SSD, спрос на подобный вид памяти будет возрастать, следовательно, будут увеличиваться и поставки. В итоге, в III квартале около 44 % всей NAND флеш-памяти будет относиться к виду TLC. В четвёртом месяце часть энергонезависимой флеш-памяти вида NAND с трёхуровневыми ячеями составит 45 %.
По версии г-на Янга, предложение NAND флеш-памяти на рынке будет выше спрос на протяжении первой половины 2014 г. Картина поменяется в хорошую сторону для изготовителей памяти только во 2-й половине 2015 года, когда Эпл представит следующие поколения собственных телефонных аппаратов и микропланшетов.
Опубликовано в рубрике 
